AO8842 - аналоги и даташиты транзистора

 

AO8842 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AO8842
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 186 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для AO8842

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO8842 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  aosemi
 ao8842.pdf pdf_icon

AO8842

AO8842Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO8842 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 7 A (VGS = 10V)operation with gate voltages as low as 1.8V while RDS(ON)

Другие MOSFET... AO4916 , AO4916L , AO4926 , AO4928 , AO6806 , AO8803 , AO8806 , AO8816 , 5N60 , AOD400 , AOD402 , AOD404 , AOD406 , AOD408 , AOD410 , AOB10N60L , AOB11S60L .

History: SIR422DP-T1-GE3 | SIR410DP

 

 
Back to Top

 


 
.