IRF831 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF831
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF831

IRF831 Datasheet (PDF)

..1. Size:481K st
irf830 irf831 irf832 irf833-fi.pdf

0.1. Size:254K international rectifier
irf8313pbf.pdf

PD - 97145IRF8313PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max Qgl Load Switchl DC/DC Conversion30V 15.5m 6.0nC:@VGS = 10VBenefitsl Low Gate Charge and Low RDS(on)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Current S2 1 8 D2l 20V VGS Max. Gate RatingG2 2 7 D2l 100% Tested for RGS1 3 6 D1l Lead-Free (Qualified to 260C Reflow)G1 4 5 D1l RoHS Compliant

0.2. Size:254K infineon
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0.3. Size:231K inchange semiconductor
irf831fi.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF831FIDESCRIPTIONDrain Current I = 3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesinged for high efficiency switch mode power supply.ABSO

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Liste

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