Справочник MOSFET. IRF831

 

IRF831 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF831
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 30(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IRF831

 

 

IRF831 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  st
 irf830 irf831 irf832 irf833-fi.pdf

IRF831 IRF831

 0.1. Size:254K  international rectifier
 irf8313pbf.pdf

IRF831 IRF831

PD - 97145IRF8313PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max Qgl Load Switchl DC/DC Conversion30V 15.5m 6.0nC:@VGS = 10VBenefitsl Low Gate Charge and Low RDS(on)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Current S2 1 8 D2l 20V VGS Max. Gate RatingG2 2 7 D2l 100% Tested for RGS1 3 6 D1l Lead-Free (Qualified to 260C Reflow)G1 4 5 D1l RoHS Compliant

 0.2. Size:254K  infineon
 irf8313pbf.pdf

IRF831 IRF831

PD - 97145IRF8313PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max Qgl Load Switchl DC/DC Conversion30V 15.5m 6.0nC:@VGS = 10VBenefitsl Low Gate Charge and Low RDS(on)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Current S2 1 8 D2l 20V VGS Max. Gate RatingG2 2 7 D2l 100% Tested for RGS1 3 6 D1l Lead-Free (Qualified to 260C Reflow)G1 4 5 D1l RoHS Compliant

 0.3. Size:231K  inchange semiconductor
 irf831fi.pdf

IRF831 IRF831

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF831FIDESCRIPTIONDrain Current I = 3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesinged for high efficiency switch mode power supply.ABSO

Другие MOSFET... IRF822FI , IRF823 , IRF830 , IRF830A , IRF830AL , IRF830AS , IRF830FI , IRF830S , IRFB31N20D , IRF831FI , IRF832 , IRF833 , IRF840 , 2SK2209-01R , IRF840A , IRF840AS , IRF840FI .

 

 
Back to Top