AOB4S60L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOB4S60L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOB4S60L

AOB4S60L Datasheet (PDF)

..1. Size:296K aosemi
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AOT4S60/AOB4S60/AOTF4S60TM600V 4A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOT4S60 & AOB4S60 & AOTF4S60 have beenfabricated using the advanced MOSTM high voltage IDM 16Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON),max 0.9performance and robustness in switching applications. Qg,typ 6nCBy providing low RDS

7.1. Size:296K aosemi
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7.2. Size:255K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor AOB4S60FEATURESDrain Current I =4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.9(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: