AON4701 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AON4701
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1.7 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V
Corriente continua de drenaje (Id): 3.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.09 Ohm
Empaquetado / Estuche: DFN3X2
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON4701
AON4701 Datasheet (PDF)
1.1. aon4701.pdf 
Size:170K _aosemi
AON4701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The AON4701 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20V excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V) provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) < 90mΩ (VGS = -4.5V) blocking switch, or for DC-DC c
4.1. aon4703.pdf Size:235K _aosemi
AON4703 20V P-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description Features The AON4703 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20V excellent R and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V) DS(ON) provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) < 90mΩ (VGS = -4.5V) blocking switch, or for buck converter applications. RDS(ON)
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