AON4701 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON4701  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: DFN3X2

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AON4701 datasheet

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AON4701

AON4701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The AON4701 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20V excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V) provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)

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AON4701

AON4703 20V P-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description Features The AON4703 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20V excellent R and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V) DS(ON) provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)

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