AON4701 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AON4701
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X2
Búsqueda de reemplazo de AON4701 MOSFET
AON4701 Datasheet (PDF)
aon4701.pdf

AON4701P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorwith Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON4701 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20Vexcellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V)provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)
aon4703.pdf

AON470320V P-Channel MOSFET with Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON4703 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20Vexcellent R and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V)DS(ON)provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)
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