Справочник MOSFET. AON4701

 

AON4701 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON4701
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AON4701 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  aosemi
 aon4701.pdf pdf_icon

AON4701

AON4701P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorwith Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON4701 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20Vexcellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V)provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)

 8.1. Size:235K  aosemi
 aon4703.pdf pdf_icon

AON4701

AON470320V P-Channel MOSFET with Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON4703 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20Vexcellent R and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V)DS(ON)provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.