AON4701 - описание и поиск аналогов

 

AON4701. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON4701

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2

Аналог (замена) для AON4701

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON4701 даташит

 ..1. Size:170K  aosemi
 aon4701.pdf pdf_icon

AON4701

AON4701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The AON4701 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20V excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V) provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)

 8.1. Size:235K  aosemi
 aon4703.pdf pdf_icon

AON4701

AON4703 20V P-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description Features The AON4703 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20V excellent R and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V) DS(ON) provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)

Другие MOSFET... AON2880 , AON3406 , AON3408 , AON3702 , AON4407 , AON4413 , AON4420 , AON4602 , IRFP450 , AON5800 , AON5802A , AOT11S60L , AOT11S65L , AOT15S60L , AOT15S65 , AOT15S65L , AOT20N25L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.