AON4701 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AON4701
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: DFN3X2
Аналог (замена) для AON4701
AON4701 Datasheet (PDF)
aon4701.pdf

AON4701P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorwith Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON4701 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20Vexcellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V)provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)
aon4703.pdf

AON470320V P-Channel MOSFET with Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON4703 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20Vexcellent R and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V)DS(ON)provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)
Другие MOSFET... AON2880 , AON3406 , AON3408 , AON3702 , AON4407 , AON4413 , AON4420 , AON4602 , 20N50 , AON5800 , AON5802A , AOT11S60L , AOT11S65L , AOT15S60L , AOT15S65 , AOT15S65L , AOT20N25L .
History: STL34N65M5 | S80N18RP | NTJS3157NT1G | NTMFD4C85N | 2N90G-TF3-T | STL3NK40
History: STL34N65M5 | S80N18RP | NTJS3157NT1G | NTMFD4C85N | 2N90G-TF3-T | STL3NK40



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent