IRF9130 Todos los transistores

 

IRF9130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9130
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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IRF9130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  international rectifier
 2n6804 irf9130.pdf pdf_icon

IRF9130

PD - 90549CIRF9130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6804THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/562]100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9130 -100V 0.30 -11AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique pr

 0.1. Size:520K  samsung
 irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRF9130

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IRF9130

IRFNJ9130IRF9130SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET7.54 (0.296)FOR HIREL0.76 (0.030)min.APPLICATIONS3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005)1 3VDSS -100VID(cont) -11A2RDS(on) 0.30 0.127 (0.005) FEATURES16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020)0.50 (0.020) HERMETICALLY SEALED max.7.26 (

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History: MDQ16N50GTH | IRFU9222

 

 
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