IRF9130 - описание и поиск аналогов

 

IRF9130 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF9130
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF9130

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9130 технические параметры

 ..1. Size:149K  international rectifier
 2n6804 irf9130.pdf pdf_icon

IRF9130

PD - 90549C IRF9130 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6804 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9130 -100V 0.30 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique pr

 0.1. Size:520K  samsung
 irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRF9130

 0.2. Size:520K  samsung
 irf9130-33 irfp9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRF9130

 0.3. Size:18K  semelab
 irf9130smd05 irfnj9130.pdf pdf_icon

IRF9130

IRFNJ9130 IRF9130SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET 7.54 (0.296) FOR HI REL 0.76 (0.030) min. APPLICATIONS 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) 1 3 VDSS -100V ID(cont) -11A 2 RDS(on) 0.30 0.127 (0.005) FEATURES 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) HERMETICALLY SEALED max. 7.26 (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF840A , IRF840AS , IRF840FI , IRF840S , IRF841 , IRF841FI , IRF842 , IRF843 , 7N60 , IRF9140 , IRF9230 , IRF9240 , IRF9410 , IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 .

 

 
Back to Top

 


 
.