Справочник MOSFET. IRF9130

 

IRF9130 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9130
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 140(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF9130

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  international rectifier
2n6804 irf9130.pdfpdf_icon

IRF9130

PD - 90549CIRF9130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6804THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/562]100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9130 -100V 0.30 -11AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique pr

 0.1. Size:520K  samsung
irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdfpdf_icon

IRF9130

 0.2. Size:520K  samsung
irf9130-33 irfp9130-33 irf9530-33.pdfpdf_icon

IRF9130

 0.3. Size:18K  semelab
irf9130smd05 irfnj9130.pdfpdf_icon

IRF9130

IRFNJ9130IRF9130SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET7.54 (0.296)FOR HIREL0.76 (0.030)min.APPLICATIONS3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005)1 3VDSS -100VID(cont) -11A2RDS(on) 0.30 0.127 (0.005) FEATURES16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020)0.50 (0.020) HERMETICALLY SEALED max.7.26 (

Другие MOSFET... IRF840A , IRF840AS , IRF840FI , IRF840S , IRF841 , IRF841FI , IRF842 , IRF843 , IRF730 , IRF9140 , IRF9230 , IRF9240 , IRF9410 , IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 .

 

 
Back to Top

 


 
.