IRF9130 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF9130  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF9130

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9130 даташит

 ..1. Size:149K  international rectifier
 2n6804 irf9130.pdf pdf_icon

IRF9130

PD - 90549C IRF9130 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6804 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9130 -100V 0.30 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique pr

 0.1. Size:520K  samsung
 irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRF9130

 0.2. Size:520K  samsung
 irf9130-33 irfp9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRF9130

 0.3. Size:18K  semelab
 irf9130smd05 irfnj9130.pdf pdf_icon

IRF9130

IRFNJ9130 IRF9130SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET 7.54 (0.296) FOR HI REL 0.76 (0.030) min. APPLICATIONS 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) 1 3 VDSS -100V ID(cont) -11A 2 RDS(on) 0.30 0.127 (0.005) FEATURES 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) HERMETICALLY SEALED max. 7.26 (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF840A, IRF840AS, IRF840FI, IRF840S, IRF841, IRF841FI, IRF842, IRF843, 7N60, IRF9140, IRF9230, IRF9240, IRF9410, IRF9510, IRF9510S, IRF9511, IRF9512