IRF9130 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF9130
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29(max) nC
tr ⓘ - Время нарастания: 140(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO3
Аналог (замена) для IRF9130
IRF9130 Datasheet (PDF)
2n6804 irf9130.pdf

PD - 90549CIRF9130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6804THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/562]100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9130 -100V 0.30 -11AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique pr
irf9130smd05 irfnj9130.pdf

IRFNJ9130IRF9130SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET7.54 (0.296)FOR HIREL0.76 (0.030)min.APPLICATIONS3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005)1 3VDSS -100VID(cont) -11A2RDS(on) 0.30 0.127 (0.005) FEATURES16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020)0.50 (0.020) HERMETICALLY SEALED max.7.26 (
Другие MOSFET... IRF840A , IRF840AS , IRF840FI , IRF840S , IRF841 , IRF841FI , IRF842 , IRF843 , IRF730 , IRF9140 , IRF9230 , IRF9240 , IRF9410 , IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHS400N10D | DHS250N10D | DHS180N10LI | DHS180N10LF | DHS180N10LE | DHS180N10LD | DHS180N10LB | DHS180N10L | DHS160N100D | DHS160N100B | DHS130N06D | DHS130N06B | DHS110N15F | DHS110N15E | DHS110N15D | DHS110N15
Popular searches
2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet