IRF9230 Todos los transistores

 

IRF9230 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF9230

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRF9230 datasheet

 ..1. Size:149K  international rectifier
2n6806 irf9230.pdf pdf_icon

IRF9230

PD - 90548C IRF9230 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6806 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6806 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 200V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9230 -200V 0.80 -6.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique p

 0.1. Size:519K  samsung
irfp9230-33 irf9230-33 irf9630-33.pdf pdf_icon

IRF9230

 9.1. Size:147K  international rectifier
irf9240.pdf pdf_icon

IRF9230

PD - 90420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9240 HEXFET TRANSISTORS 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9240 -200V 0.5 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design

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History: J308 | IRF1503LPBF | IRF843

 

 

 


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