IRF9230 Todos los transistores

 

IRF9230 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9230
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF9230 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  international rectifier
 2n6806 irf9230.pdf pdf_icon

IRF9230

PD - 90548CIRF9230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6806HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6806THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/562]200V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9230 -200V 0.80 -6.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique p

 ..2. Size:504K  samsung
 irf9230 irf9231 irf9232 irf9233 irfp9230 irfp9231 irfp9232 irfp9233 irf9630 irf9631 irf9632 irf9633.pdf pdf_icon

IRF9230

 0.1. Size:519K  samsung
 irfp9230-33 irf9230-33 irf9630-33.pdf pdf_icon

IRF9230

 9.1. Size:147K  international rectifier
 irf9240.pdf pdf_icon

IRF9230

PD - 90420REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9240HEXFETTRANSISTORS 200V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9240 -200V 0.5 -11AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design

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History: SWSA2N40D | IPW60R299CP | SM6103PSU | HM603BK | IRFB3806PBF | NDF08N60Z | P2610ADG

 

 
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