IRF9230 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF9230  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF9230

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9230 даташит

 ..1. Size:149K  international rectifier
 2n6806 irf9230.pdf pdf_icon

IRF9230

PD - 90548C IRF9230 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6806 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6806 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 200V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9230 -200V 0.80 -6.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique p

 ..2. Size:504K  samsung
 irf9230 irf9231 irf9232 irf9233 irfp9230 irfp9231 irfp9232 irfp9233 irf9630 irf9631 irf9632 irf9633.pdf pdf_icon

IRF9230

 0.1. Size:519K  samsung
 irfp9230-33 irf9230-33 irf9630-33.pdf pdf_icon

IRF9230

 9.1. Size:147K  international rectifier
 irf9240.pdf pdf_icon

IRF9230

PD - 90420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9240 HEXFET TRANSISTORS 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9240 -200V 0.5 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF840FI, IRF840S, IRF841, IRF841FI, IRF842, IRF843, IRF9130, IRF9140, AO4468, IRF9240, IRF9410, IRF9510, IRF9510S, IRF9511, IRF9512, IRF9513, IRF9520