IRF9230 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRF9230. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF9230
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF9230

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9230 даташит

 ..1. Size:149K  international rectifier
2n6806 irf9230.pdfpdf_icon

IRF9230

PD - 90548C IRF9230 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6806 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6806 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 200V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9230 -200V 0.80 -6.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique p

 0.1. Size:519K  samsung
irfp9230-33 irf9230-33 irf9630-33.pdfpdf_icon

IRF9230

 9.1. Size:147K  international rectifier
irf9240.pdfpdf_icon

IRF9230

PD - 90420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9240 HEXFET TRANSISTORS 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9240 -200V 0.5 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design

Другие MOSFET... IRF840FI , IRF840S , IRF841 , IRF841FI , IRF842 , IRF843 , IRF9130 , IRF9140 , IRFZ46N , IRF9240 , IRF9410 , IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 , IRF9513 , IRF9520 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.