Справочник MOSFET. IRF9230

 

IRF9230 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9230
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9230 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  international rectifier
2n6806 irf9230.pdfpdf_icon

IRF9230

PD - 90548CIRF9230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6806HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6806THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/562]200V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9230 -200V 0.80 -6.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique p

 0.1. Size:519K  samsung
irfp9230-33 irf9230-33 irf9630-33.pdfpdf_icon

IRF9230

 9.1. Size:147K  international rectifier
irf9240.pdfpdf_icon

IRF9230

PD - 90420REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9240HEXFETTRANSISTORS 200V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9240 -200V 0.5 -11AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design

Другие MOSFET... IRF840FI , IRF840S , IRF841 , IRF841FI , IRF842 , IRF843 , IRF9130 , IRF9140 , 2SK3918 , IRF9240 , IRF9410 , IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 , IRF9513 , IRF9520 .

History: 2SK3117 | NTMD6N03R2 | FDMS0309AS

 

 
Back to Top

 


 
.