2SK1008-01 Todos los transistores

 

2SK1008-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1008-01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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2SK1008-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  fuji
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2SK1008-01

 7.1. Size:265K  inchange semiconductor
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2SK1008-01

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1008DESCRIPTIONDrain Current I =4.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

 8.1. Size:245K  1
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2SK1008-01

FUJI POWER MOSFET2SK1007-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220ABLow on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS= 30V GuaranteeApplications Switching regulatorsUPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDEC TO-220ABEIAJ SC-46Equivalent circuit schematicMaxi

Otros transistores... 2SK320 , 2SK3203L , 2SK3203S , 2SK3219-01MR , 2SK3221 , 2SK3224 , 2SK3225-Z , 2SK1008 , 18N50 , 2SK1009-01 , 2SK1010-01 , 2SK1572 , 2SK1574 , 2SK1590C , 2SK1600 , 2SK1601 , 2SK1602 .

History: HGN115N15S | ELM13401CA | SSM3K15ACT | BLP06N08G-B | KI2328DS | KI1302DL | SVD9Z24NT

 

 
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