2SK1008-01 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK1008-01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для 2SK1008-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1008-01 даташит

 ..1. Size:133K  fuji
 2sk1008-01.pdf pdf_icon

2SK1008-01

 7.1. Size:265K  inchange semiconductor
 2sk1008.pdf pdf_icon

2SK1008-01

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1008 DESCRIPTION Drain Current I =4.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

 8.1. Size:245K  1
 2sk1007-01.pdf pdf_icon

2SK1008-01

FUJI POWER MOSFET 2SK1007-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET F- II SERIES Outline Drawings Features High current TO-220AB Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage VGSS= 30V Guarantee Applications Switching regulators UPS DC-DC converters 3. Source General purpose power amplifier JEDEC TO-220AB EIAJ SC-46 Equivalent circuit schematic Maxi

 8.2. Size:515K  1
 2sk104 2sk105 2sk162 2sk163 2sk193 2sk195 2sk505 2sk507 2sk514 2sk518 2sk519 2sk523 2sk533 2sk660 2sk997 2sk998 2sk1000 2sk1109.pdf pdf_icon

2SK1008-01

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK320, 2SK3203L, 2SK3203S, 2SK3219-01MR, 2SK3221, 2SK3224, 2SK3225-Z, 2SK1008, BS170, 2SK1009-01, 2SK1010-01, 2SK1572, 2SK1574, 2SK1590C, 2SK1600, 2SK1601, 2SK1602