2SK1681 Todos los transistores

 

2SK1681 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1681

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de encendido (ton): 240 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1080 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.23 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PL

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2SK1681 Datasheet (PDF)

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8.1. 2sk168.pdf Size:43K _hitachi

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2SK168Silicon N-Channel Junction FETApplicationVHF Amplifier, Mixer, Local oscillatorOutlineTO-92 (2)1. Gate2. Source3. Drain3212SK168Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage VGDO 30 VGate to source voltage VGSS 1 VGate current IG 10 mADrain current ID 20 mAChannel power dissipation Pch 200 mWChannel temper

8.2. 2sk1685.pdf Size:158K _no

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"2SK1685""2SK1685"

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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1680DESCRIPTIONDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh Current, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 500 VDSS GS

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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