2SK1681 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1681
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 240 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1080 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PL
Búsqueda de reemplazo de 2SK1681 MOSFET
2SK1681 Datasheet (PDF)
2sk168.pdf
2SK168Silicon N-Channel Junction FETApplicationVHF Amplifier, Mixer, Local oscillatorOutlineTO-92 (2)1. Gate2. Source3. Drain3212SK168Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage VGDO 30 VGate to source voltage VGSS 1 VGate current IG 10 mADrain current ID 20 mAChannel power dissipation Pch 200 mWChannel temper
Otros transistores... 2SK1602 , 2SK1603 , 2SK160A , 2SK1626 , 2SK1627 , 2SK1629-E1-E , 2SK1660 , 2SK1662M , IRF830 , 2SK1683 , 2SK2180 , 2SK2182 , 2SK2183 , 2SK2185 , 2SK2186 , 2SK2188 , 2SK2189 .
History: SI1051X | AON2812
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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