2SK1681 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SK1681 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK1681

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 240 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1080 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO3PL

Аналог (замена) для 2SK1681

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

2SK1681 даташит

..1. Size:46K shenzhen
2sk1681.pdf pdf_icon

8.1. Size:43K hitachi
2sk168.pdf pdf_icon

2SK168 Silicon N-Channel Junction FET Application VHF Amplifier, Mixer, Local oscillator Outline TO-92 (2) 1. Gate 2. Source 3. Drain 3 2 1 2SK168 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Gate to drain voltage VGDO 30 V Gate to source voltage VGSS 1 V Gate current IG 10 mA Drain current ID 20 mA Channel power dissipation Pch 200 mW Channel temper

8.2. Size:158K no
2sk1685.pdf pdf_icon