2SK1681 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK1681
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tonⓘ - Время включения: 240 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1080 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
Тип корпуса: TO3PL
2SK1681 Datasheet (PDF)
2sk168.pdf
2SK168Silicon N-Channel Junction FETApplicationVHF Amplifier, Mixer, Local oscillatorOutlineTO-92 (2)1. Gate2. Source3. Drain3212SK168Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage VGDO 30 VGate to source voltage VGSS 1 VGate current IG 10 mADrain current ID 20 mAChannel power dissipation Pch 200 mWChannel temper
2sk1680.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1680DESCRIPTIONDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh Current, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 500 VDSS GS
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918