2SK888 Todos los transistores

 

2SK888 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK888
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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2SK888 datasheet

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2SK888

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2SK888

2SK882 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK882 FM Tuner, VHF RF Amplifier Applications Unit mm Low reverse transfer capacitance Crss = 0.025 pF (typ.) Low noise figure NF = 1.7dB (typ.) High power gain G = 28dB (typ.) ps Recommend operation voltage 5 15 V Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit

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2SK888

2SK880 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK880 Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications Unit mm High Yfs Yfs = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 High breakdown voltage VGDS = -50 V Low noise NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 k High input impedance IGSS = -1 nA (max) at VGS = -30 V

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