2SK888 - описание и поиск аналогов

 

2SK888. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK888

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для 2SK888

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK888 даташит

 ..1. Size:110K  toshiba
 2sk888.pdf pdf_icon

2SK888

( DataSheet www.DataSheet4U.com ) www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 9.1. Size:60K  toshiba
 2sk889.pdf pdf_icon

2SK888

 9.2. Size:174K  toshiba
 2sk882.pdf pdf_icon

2SK888

2SK882 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK882 FM Tuner, VHF RF Amplifier Applications Unit mm Low reverse transfer capacitance Crss = 0.025 pF (typ.) Low noise figure NF = 1.7dB (typ.) High power gain G = 28dB (typ.) ps Recommend operation voltage 5 15 V Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit

 9.3. Size:294K  toshiba
 2sk880.pdf pdf_icon

2SK888

2SK880 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK880 Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications Unit mm High Yfs Yfs = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 High breakdown voltage VGDS = -50 V Low noise NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 k High input impedance IGSS = -1 nA (max) at VGS = -30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK4057-ZK-E2-AY , 2SK4058-S27-AY , 2SK4058-ZK-E1-AY , 2SK4058-ZK-E2-AY , 2SK4065-DL-1E , 2SK401 , 2SK402 , 2SK403 , 2SK3568 , 2SK889 , 2SK890 , 2SK891 , 2SK892 , 2SK893 , 2SK894 , 2SK897-M , 2SK796 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.