Справочник MOSFET. 2SK888

 

2SK888 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK888
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для 2SK888

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK888 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  toshiba
 2sk888.pdf pdf_icon

2SK888

( DataSheet : www.DataSheet4U.com )www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 9.1. Size:60K  toshiba
 2sk889.pdf pdf_icon

2SK888

 9.2. Size:174K  toshiba
 2sk882.pdf pdf_icon

2SK888

2SK882 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK882 FM Tuner, VHF RF Amplifier Applications Unit: mm Low reverse transfer capacitance: Crss = 0.025 pF (typ.) Low noise figure: NF = 1.7dB (typ.) High power gain: G = 28dB (typ.) ps Recommend operation voltage: 5~15 V Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating Unit

 9.3. Size:294K  toshiba
 2sk880.pdf pdf_icon

2SK888

2SK880 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK880 Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications Unit: mm High |Yfs|: |Yfs| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 High breakdown voltage: VGDS = -50 V Low noise: NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 k High input impedance: IGSS = -1 nA (max) at VGS = -30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK4057-ZK-E2-AY , 2SK4058-S27-AY , 2SK4058-ZK-E1-AY , 2SK4058-ZK-E2-AY , 2SK4065-DL-1E , 2SK401 , 2SK402 , 2SK403 , 5N65 , 2SK889 , 2SK890 , 2SK891 , 2SK892 , 2SK893 , 2SK894 , 2SK897-M , 2SK796 .

History: SMC3415A | AONR21311C

 

 
Back to Top

 


 
.