Справочник MOSFET. 2SK888

 

2SK888 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK888
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для 2SK888

 

 

2SK888 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  toshiba
 2sk888.pdf

2SK888 2SK888

( DataSheet : www.DataSheet4U.com )www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 9.1. Size:60K  toshiba
 2sk889.pdf

2SK888 2SK888

 9.2. Size:174K  toshiba
 2sk882.pdf

2SK888 2SK888

2SK882 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK882 FM Tuner, VHF RF Amplifier Applications Unit: mm Low reverse transfer capacitance: Crss = 0.025 pF (typ.) Low noise figure: NF = 1.7dB (typ.) High power gain: G = 28dB (typ.) ps Recommend operation voltage: 5~15 V Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating Unit

 9.3. Size:294K  toshiba
 2sk880.pdf

2SK888 2SK888

2SK880 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK880 Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications Unit: mm High |Yfs|: |Yfs| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 High breakdown voltage: VGDS = -50 V Low noise: NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 k High input impedance: IGSS = -1 nA (max) at VGS = -30 V

 9.4. Size:649K  toshiba
 2sk881.pdf

2SK888 2SK888

2SK881 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK881 FM Tuner Applications Unit: mmVHF Band Amplifier Applications Low noise figure: NF = 2.5dB (typ.) (f = 100 MHz) High forward transfer admittance: |Yfs| = 9 mS (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitGate-drain voltage VGDO -18 VGate current IG 10 mA

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top