2SK1020 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1020
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PL
Búsqueda de reemplazo de 2SK1020 MOSFET
2SK1020 Datasheet (PDF)
2sk1020.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1020DESCRIPTIONDrain Current I =30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol
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History: BSC320N20NS3G | MSK7804 | CS4N65A3HD | HY150N075T | DAMH160N200 | IPAN80R450P7 | IXFH18N60P
History: BSC320N20NS3G | MSK7804 | CS4N65A3HD | HY150N075T | DAMH160N200 | IPAN80R450P7 | IXFH18N60P



Liste
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MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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