2SK1020. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK1020
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO3PL
Аналог (замена) для 2SK1020
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK1020 даташит
2sk1020.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1020 DESCRIPTION Drain Current I =30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol
Другие MOSFET... 2SK1011-01 , 2SK1012-01 , 2SK1014-01 , 2SK1015 , 2SK1015-01 , 2SK1016-01 , 2SK1017-01 , 2SK1018 , IRF9640 , 2SK1021 , 2SK1022 , 2SK1023-01 , 2SK1024-01 , 2SK2023-01 , 2SK2027-01 , 2SK2100-01MR , 2SK2133-Z .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent




