2SK556 Todos los transistores

 

2SK556 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK556
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK556 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  hitachi
 2sk556 2sk557.pdf pdf_icon

2SK556

 ..2. Size:231K  inchange semiconductor
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2SK556

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK556DESCRIPTIONDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies

 9.1. Size:247K  hitachi
 2sk554 2sk555.pdf pdf_icon

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 9.2. Size:521K  hitachi
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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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