2SK556 Todos los transistores

 

2SK556 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK556
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SK556 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SK556 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  hitachi
 2sk556 2sk557.pdf pdf_icon

2SK556

 ..2. Size:231K  inchange semiconductor
 2sk556.pdf pdf_icon

2SK556

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK556DESCRIPTIONDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies

 9.1. Size:247K  hitachi
 2sk554 2sk555.pdf pdf_icon

2SK556

 9.2. Size:521K  hitachi
 2sk55.pdf pdf_icon

2SK556

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SK4092 , 2SK4094-1E , 2SK4096LS-1E , 2SK529 , 2SK552 , 2SK553 , 2SK554 , 2SK555 , TK10A60D , 2SK557 , 2SK565 , 2SK568 , 2SK596S-B , 2SK528 , 2SK735 , 2SK738-Z , 2SK762 .

History: AS60N20S | ZXMP6A13F

 

 
Back to Top

 


 
.