Справочник MOSFET. 2SK556

 

2SK556 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK556
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK556 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  hitachi
2sk556 2sk557.pdfpdf_icon

2SK556

 ..2. Size:231K  inchange semiconductor
2sk556.pdfpdf_icon

2SK556

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK556DESCRIPTIONDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies

 9.1. Size:247K  hitachi
2sk554 2sk555.pdfpdf_icon

2SK556

 9.2. Size:521K  hitachi
2sk55.pdfpdf_icon

2SK556

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SSPL6022 | ME2306A | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | IRF5305

 

 
Back to Top

 


 
.