2SK644 Todos los transistores

 

2SK644 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK644
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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2SK644 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  inchange semiconductor
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2SK644

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK644DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh speed,high Current Switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER

 9.1. Size:49K  hitachi
 2sk641 2sk642.pdf pdf_icon

2SK644

 9.2. Size:38K  hitachi
 2sk646.pdf pdf_icon

2SK644

 9.3. Size:230K  inchange semiconductor
 2sk643.pdf pdf_icon

2SK644

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK643DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies

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History: STP5NK65ZFP

 

 
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