2SK644 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK644

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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2SK644 datasheet

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2SK644

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK644 DESCRIPTION Drain Current I =10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS high speed,high Current Switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER

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2SK644

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2SK644

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK643 DESCRIPTION Drain Current I =10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =450V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies

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