2SK644. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK644

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для 2SK644

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK644 даташит

 ..1. Size:236K  inchange semiconductor
 2sk644.pdf pdf_icon

2SK644

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK644 DESCRIPTION Drain Current I =10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS high speed,high Current Switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER

 9.1. Size:49K  hitachi
 2sk641 2sk642.pdf pdf_icon

2SK644

 9.2. Size:38K  hitachi
 2sk646.pdf pdf_icon

2SK644

 9.3. Size:230K  inchange semiconductor
 2sk643.pdf pdf_icon

2SK644

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK643 DESCRIPTION Drain Current I =10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =450V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3432-S, 2SK3432-Z, 2SK3432-ZJ, 2SK3433, 2SK3433-S, 2SK3433-Z, 2SK3433-ZJ, 2SK643, BS170, 2SK646, 2SK672, 2SK673, 2SK674, 2SK678, 2SK682, 2SK683, 2SK684