2SK646 Todos los transistores

 

2SK646 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK646
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SK646 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  hitachi
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2SK646

 9.1. Size:49K  hitachi
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 9.2. Size:230K  inchange semiconductor
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2SK646

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK643DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies

 9.3. Size:237K  inchange semiconductor
2sk641.pdf pdf_icon

2SK646

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK641DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor c

Otros transistores... 2SK3432-Z , 2SK3432-ZJ , 2SK3433 , 2SK3433-S , 2SK3433-Z , 2SK3433-ZJ , 2SK643 , 2SK644 , 10N65 , 2SK672 , 2SK673 , 2SK674 , 2SK678 , 2SK682 , 2SK683 , 2SK684 , 2SK1483C .

History: DH026N06B | MDV1527URH | HM4618B | 2SK1402 | IRFH7446 | 2SJ574

 

 
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