2SK646 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK646
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
ton ⓘ - Время включения: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO3
Аналог (замена) для 2SK646
2SK646 Datasheet (PDF)
2sk643.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK643DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies
2sk641.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK641DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor c
Другие MOSFET... 2SK3432-Z , 2SK3432-ZJ , 2SK3433 , 2SK3433-S , 2SK3433-Z , 2SK3433-ZJ , 2SK643 , 2SK644 , 10N65 , 2SK672 , 2SK673 , 2SK674 , 2SK678 , 2SK682 , 2SK683 , 2SK684 , 2SK1483C .
History: IXFV16N80P | APT10045JLL | CEP83A3G | 2SK2717 | MPSW60M082 | IRFU430APBF
History: IXFV16N80P | APT10045JLL | CEP83A3G | 2SK2717 | MPSW60M082 | IRFU430APBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet