2SK646. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK646

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для 2SK646

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK646 даташит

 ..1. Size:38K  hitachi
 2sk646.pdf pdf_icon

2SK646

 9.1. Size:49K  hitachi
 2sk641 2sk642.pdf pdf_icon

2SK646

 9.2. Size:230K  inchange semiconductor
 2sk643.pdf pdf_icon

2SK646

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK643 DESCRIPTION Drain Current I =10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =450V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies

 9.3. Size:237K  inchange semiconductor
 2sk641.pdf pdf_icon

2SK646

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK641 DESCRIPTION Drain Current I =10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =450V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3432-Z, 2SK3432-ZJ, 2SK3433, 2SK3433-S, 2SK3433-Z, 2SK3433-ZJ, 2SK643, 2SK644, 4N60, 2SK672, 2SK673, 2SK674, 2SK678, 2SK682, 2SK683, 2SK684, 2SK1483C