Справочник MOSFET. 2SK646

 

2SK646 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK646
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tonⓘ - Время включения: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK646 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  hitachi
2sk646.pdfpdf_icon

2SK646

 9.1. Size:49K  hitachi
2sk641 2sk642.pdfpdf_icon

2SK646

 9.2. Size:230K  inchange semiconductor
2sk643.pdfpdf_icon

2SK646

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK643DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies

 9.3. Size:237K  inchange semiconductor
2sk641.pdfpdf_icon

2SK646

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK641DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor c

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CEF05N6 | UPA2720AGR | G11 | AUIRF7734M2 | AM2336N-T1 | DMP1096UCB4 | SMOS44N80

 

 
Back to Top

 


 
.