2SK684 Todos los transistores

 

2SK684 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK684
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247AD
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK684 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  inchange semiconductor
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2SK684

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK684DESCRIPTIONDrain Current I =7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSlow onresistanceHigh speed switchingLow drive currentNo secondary breakdownSuitable fo

 9.1. Size:308K  1
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 9.2. Size:444K  1
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 9.3. Size:84K  1
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History: AONS36316 | 4N65KG-T60-K | RQK0608BQDQS | MRF5003 | STP5N62K3 | IRFR120TR

 

 
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