2SK684 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

2SK684 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK684

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO247AD

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

2SK684 datasheet

..1. Size:236K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK684 DESCRIPTION Drain Current I =7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS low on resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable fo

9.1. Size:308K 1
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