Справочник MOSFET. 2SK684

 

2SK684 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK684
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 230 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247AD

 Аналог (замена) для 2SK684

 

 

2SK684 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  inchange semiconductor
 2sk684.pdf

2SK684 2SK684

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK684DESCRIPTIONDrain Current I =7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSlow onresistanceHigh speed switchingLow drive currentNo secondary breakdownSuitable fo

 9.1. Size:308K  1
 2sk680a.pdf

2SK684 2SK684

 9.2. Size:444K  1
 2sk681a.pdf

2SK684 2SK684

 9.3. Size:84K  1
 2sk68a.pdf

2SK684 2SK684

 9.4. Size:45K  hitachi
 2sk685.pdf

2SK684

 9.5. Size:141K  hitachi
 2sk682 2sk683.pdf

2SK684 2SK684

 9.6. Size:236K  inchange semiconductor
 2sk682.pdf

2SK684 2SK684

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK682DESCRIPTIONDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSlow onresistanceHigh speed switchingLow drive currentNo secondary breakdownSuitable f

 9.7. Size:236K  inchange semiconductor
 2sk683.pdf

2SK684 2SK684

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK683DESCRIPTIONDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSlow onresistanceHigh speed switchingLow drive currentNo secondary breakdownSuitable f

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top