2SK684. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK684

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO247AD

Аналог (замена) для 2SK684

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK684 даташит

 ..1. Size:236K  inchange semiconductor
 2sk684.pdf pdf_icon

2SK684

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK684 DESCRIPTION Drain Current I =7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS low on resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable fo

 9.1. Size:308K  1
 2sk680a.pdf pdf_icon

2SK684

 9.2. Size:444K  1
 2sk681a.pdf pdf_icon

2SK684

 9.3. Size:84K  1
 2sk68a.pdf pdf_icon

2SK684

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK644, 2SK646, 2SK672, 2SK673, 2SK674, 2SK678, 2SK682, 2SK683, SI2302, 2SK1483C, 2SK1493-Z, 2SK1494-Z, 2SK1495-Z, 2SK1496-Z, 2SK1503, 2SK1503-01, 2SK1511