2SK1503-01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1503-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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2SK1503-01 datasheet

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2SK1503-01

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1503 DESCRIPTION Drain Current ID=10A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS=500 (Min) APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor controls,relay and solenoid drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RA

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