2SK1503-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1503-01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 2SK1503-01 MOSFET
2SK1503-01 Datasheet (PDF)
2sk1503.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1503 DESCRIPTION Drain Current ID=10A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=500 (Min) APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor controls,relay and solenoid drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RA
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History: MMBT7002KW | RUM002N02 | APT1201R6BVFR | SI7434DP | 2SK2924 | FQI50N06TU | NCE80T560F
History: MMBT7002KW | RUM002N02 | APT1201R6BVFR | SI7434DP | 2SK2924 | FQI50N06TU | NCE80T560F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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