2SK1503-01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1503-01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для 2SK1503-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1503-01 даташит

 ..1. Size:171K  fuji
2sk1503-01.pdfpdf_icon

2SK1503-01

 7.1. Size:60K  inchange semiconductor
2sk1503.pdfpdf_icon

2SK1503-01

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1503 DESCRIPTION Drain Current ID=10A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS=500 (Min) APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor controls,relay and solenoid drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RA

 8.1. Size:419K  1
2sk1501 2sk1501-z.pdfpdf_icon

2SK1503-01

 8.2. Size:408K  1
2sk1502.pdfpdf_icon

2SK1503-01

Другие IGBT... 2SK683, 2SK684, 2SK1483C, 2SK1493-Z, 2SK1494-Z, 2SK1495-Z, 2SK1496-Z, 2SK1503, IRFZ24N, 2SK1511, 2SK1512-01, 2SK2639-01, 2SK2641-01, 2SK2643-01, 2SK2646-01, 2SK2649-01R, 2SK2652-01