IRF9640 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF9640  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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IRF9640 datasheet

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IRF9640

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IRF9640

PD - 94981 IRF9640PbF Lead-Free 02/04/04 Document Number 91086 www.vishay.com 1 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 2 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 3 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 4 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 5 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 6 IRF9640PbF TO-220AB Package O

 ..3. Size:103K  fairchild semi
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IRF9640

IRF9640, RF1S9640SM Data Sheet January 2002 11A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power Features MOSFETs 11A, 200V These are P-Channel enhancement mode silicon-gate rDS(ON) = 0.500 power field-effect transistors. They are advanced power Single Pulse Avalanche Energy Rated MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown ava

 ..4. Size:490K  samsung
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