IRF9640 Todos los transistores

 

IRF9640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9640
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF9640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  international rectifier
irf9640.pdf pdf_icon

IRF9640

 ..2. Size:2131K  international rectifier
irf9640pbf.pdf pdf_icon

IRF9640

PD - 94981IRF9640PbF Lead-Free02/04/04Document Number: 91086 www.vishay.com1IRF9640PbFDocument Number: 91086 www.vishay.com2IRF9640PbFDocument Number: 91086 www.vishay.com3IRF9640PbFDocument Number: 91086 www.vishay.com4IRF9640PbFDocument Number: 91086 www.vishay.com5IRF9640PbFDocument Number: 91086 www.vishay.com6IRF9640PbFTO-220AB Package O

 ..3. Size:103K  fairchild semi
irf9640 rf1s9640sm.pdf pdf_icon

IRF9640

IRF9640, RF1S9640SMData Sheet January 200211A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 11A, 200VThese are P-Channel enhancement mode silicon-gate rDS(ON) = 0.500power field-effect transistors. They are advanced power Single Pulse Avalanche Energy RatedMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown ava

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History: IRFB3306 | SVSP80R180FJDE3 | 2SK3918 | 13N50

 

 
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