IRF9640 Todos los transistores

 

IRF9640 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9640
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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IRF9640 datasheet

 ..1. Size:170K  international rectifier
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IRF9640

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 ..2. Size:2131K  international rectifier
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IRF9640

PD - 94981 IRF9640PbF Lead-Free 02/04/04 Document Number 91086 www.vishay.com 1 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 2 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 3 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 4 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 5 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 6 IRF9640PbF TO-220AB Package O... See More ⇒

 ..3. Size:103K  fairchild semi
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IRF9640

IRF9640, RF1S9640SM Data Sheet January 2002 11A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power Features MOSFETs 11A, 200V These are P-Channel enhancement mode silicon-gate rDS(ON) = 0.500 power field-effect transistors. They are advanced power Single Pulse Avalanche Energy Rated MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown ava... See More ⇒

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