Справочник MOSFET. IRF9640

 

IRF9640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  international rectifier
irf9640.pdfpdf_icon

IRF9640

 ..2. Size:2131K  international rectifier
irf9640pbf.pdfpdf_icon

IRF9640

PD - 94981IRF9640PbF Lead-Free02/04/04Document Number: 91086 www.vishay.com1IRF9640PbFDocument Number: 91086 www.vishay.com2IRF9640PbFDocument Number: 91086 www.vishay.com3IRF9640PbFDocument Number: 91086 www.vishay.com4IRF9640PbFDocument Number: 91086 www.vishay.com5IRF9640PbFDocument Number: 91086 www.vishay.com6IRF9640PbFTO-220AB Package O

 ..3. Size:103K  fairchild semi
irf9640 rf1s9640sm.pdfpdf_icon

IRF9640

IRF9640, RF1S9640SMData Sheet January 200211A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 11A, 200VThese are P-Channel enhancement mode silicon-gate rDS(ON) = 0.500power field-effect transistors. They are advanced power Single Pulse Avalanche Energy RatedMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown ava

Другие MOSFET... IRF9621 , IRF9622 , IRF9623 , IRF9630 , IRF9630S , IRF9631 , IRF9632 , IRF9633 , IRFP260 , IRF9640S , IRF9641 , IRF9642 , IRF9643 , IRF9952 , IRF9953 , IRF9Z10 , IRF9Z12 .

History: MMD60R360PRH | IRFB3306 | SVSP80R180FJDE3 | 2SK3918 | 13N50

 

 
Back to Top

 


 
.