2SK776 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK776

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: TO220AB

 Búsqueda de reemplazo de 2SK776 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SK776 datasheet

 ..1. Size:38K  no
2sk776.pdf pdf_icon

2SK776

 9.1. Size:671K  sanyo
2sk775.pdf pdf_icon

2SK776

"2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775"

 9.2. Size:77K  sanyo
2sk772.pdf pdf_icon

2SK776

Ordering number EN2392A N-Channel Junction Silicon FET 2SK772 AF Amplifier Applications Applications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier, unit mm constant-current circuit. 2034A [2SK772] 2.2 4.0 Features Adoption of FBET process. 0.4 0.5 0.4 0.4 1 2 3 1 Source 1.3 1.3 2 Gate 3 Drain 3.0 3.8nom SANYO SPA Specifications Ab

 9.3. Size:79K  sanyo
2sk771.pdf pdf_icon

2SK776

Ordering number EN2391 N-Channel Junction Silicon FET 2SK771 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier, unit mm constant-current circuit. 2050A [2SK771] Features 0.4 0.16 Adoption of FBET process. 3 Ultrasmall-sized package permitting sets to be made 0 to 0.1 smaller and sl

Otros transistores... 2SK3456, 2SK3456-S, 2SK3456-ZJ, 2SK3457, 2SK3458, 2SK3458-S, 2SK3458-ZK, 2SK775, IRF730, 2SK777, 2SK783, 2SK784, 2SK785, 2SK786, 2SK788, 2SK789, 2SK790