Справочник MOSFET. 2SK776

 

2SK776 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK776
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для 2SK776

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK776 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  no
2sk776.pdfpdf_icon

2SK776

 9.1. Size:671K  sanyo
2sk775.pdfpdf_icon

2SK776

"2SK775""2SK775""2SK775""2SK775""2SK775""2SK775""2SK775""2SK775"

 9.2. Size:77K  sanyo
2sk772.pdfpdf_icon

2SK776

Ordering number:EN2392AN-Channel Junction Silicon FET2SK772AF Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier,unit:mmconstant-current circuit.2034A[2SK772]2.24.0Features Adoption of FBET process.0.40.50.40.41 2 31 : Source1.3 1.32 : Gate3 : Drain3.03.8nom SANYO : SPASpecificationsAb

 9.3. Size:79K  sanyo
2sk771.pdfpdf_icon

2SK776

Ordering number:EN2391N-Channel Junction Silicon FET2SK771Low-Frequency General-PurposeAmplifier ApplicationsApplications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier,unit:mmconstant-current circuit.2050A[2SK771]Features0.40.16 Adoption of FBET process.3 Ultrasmall-sized package permitting sets to be made0 to 0.1smaller and sl

Другие MOSFET... 2SK3456 , 2SK3456-S , 2SK3456-ZJ , 2SK3457 , 2SK3458 , 2SK3458-S , 2SK3458-ZK , 2SK775 , BS170 , 2SK777 , 2SK783 , 2SK784 , 2SK785 , 2SK786 , 2SK788 , 2SK789 , 2SK790 .

History: QM6003F | STU438A | BLS65R560-P | NCEA40P25G | FTK2306 | IXFH12N120P | APT37F50S

 

 
Back to Top

 


 
.