2SK783 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK783
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.57 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de 2SK783 MOSFET
2SK783 Datasheet (PDF)
2sk783.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK783FEATURESDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as switching power supplies .ABSOLUTE M
2sk786.pdf

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com
Otros transistores... 2SK3456-ZJ , 2SK3457 , 2SK3458 , 2SK3458-S , 2SK3458-ZK , 2SK775 , 2SK776 , 2SK777 , IRF3205 , 2SK784 , 2SK785 , 2SK786 , 2SK788 , 2SK789 , 2SK790 , 2SK1377 , 2SK1378 .
History: IXFH16N120P | H4946S | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | DHF9Z24 | IRFU430APBF
History: IXFH16N120P | H4946S | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | DHF9Z24 | IRFU430APBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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