2SK783 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK783

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.57 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK783

2SK783 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk783.pdf Size:203K _update

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK783 FEATURES ·Drain Current –I =12A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V = 500V(Min) DSS ·Fast Switching Speed DESCRIPTION ·Designed especially for high voltage,high speed applications, such as switching power supplies . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

5.1. 2sk788.pdf Size:370K _update

5.2. 2sk789.pdf Size:67K _update

Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor

5.3. 2sk785.pdf Size:158K _update

5.4. 2sk784.pdf Size:156K _update

5.5. 2sk786.pdf Size:182K _update

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

5.6. 2sk787.pdf Size:173K _nec