2SK783 Todos los transistores

 

2SK783 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK783
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.57 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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2SK783 datasheet

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2SK783

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK783 FEATURES Drain Current I =12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed especially for high voltage,high speed applications, such as switching power supplies . ABSOLUTE M... See More ⇒

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History: AOT8N80 | 3SK88L | 2SK641

 

 
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