2SK783 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK783
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.57 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для 2SK783
2SK783 Datasheet (PDF)
2sk783.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK783FEATURESDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as switching power supplies .ABSOLUTE M
2sk786.pdf

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com
Другие MOSFET... 2SK3456-ZJ , 2SK3457 , 2SK3458 , 2SK3458-S , 2SK3458-ZK , 2SK775 , 2SK776 , 2SK777 , IRF3205 , 2SK784 , 2SK785 , 2SK786 , 2SK788 , 2SK789 , 2SK790 , 2SK1377 , 2SK1378 .
History: NVMFD5853N | VS4401AMH | 2SJ676 | IPB80N06S2L-H5 | IRF2805S | GKI10526 | SIHFBE30S
History: NVMFD5853N | VS4401AMH | 2SJ676 | IPB80N06S2L-H5 | IRF2805S | GKI10526 | SIHFBE30S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor