2SK783. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK783

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.57 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для 2SK783

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK783 даташит

 ..1. Size:236K  inchange semiconductor
 2sk783.pdf pdf_icon

2SK783

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK783 FEATURES Drain Current I =12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed especially for high voltage,high speed applications, such as switching power supplies . ABSOLUTE M

 9.1. Size:173K  nec
 2sk787.pdf pdf_icon

2SK783

 9.2. Size:182K  nec
 2sk786.pdf pdf_icon

2SK783

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 9.3. Size:158K  nec
 2sk785.pdf pdf_icon

2SK783

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3456-ZJ, 2SK3457, 2SK3458, 2SK3458-S, 2SK3458-ZK, 2SK775, 2SK776, 2SK777, IRF3205, 2SK784, 2SK785, 2SK786, 2SK788, 2SK789, 2SK790, 2SK1377, 2SK1378