2SK872 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK872
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 900 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 280 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK872
2SK872 Datasheet (PDF)
1.1. 2sk872.pdf 
Size:3390K _update
5.1. 2sk871.pdf Size:1651K _update
5.2. 2sk870.pdf Size:148K _update
查询"2SK870"供应商 查询"2SK870"供应商
5.3. 2sk874.pdf Size:3392K _update
5.4. 2sk873.pdf Size:1661K _update
5.5. 2sk879.pdf Size:576K _toshiba
2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm • High breakdown voltage: VGDS = -50 V • High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) • Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k?, f = 120 Hz) • Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
Otros transistores... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .
