2SK872. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK872

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK872

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK872 даташит

 ..1. Size:3390K  nec
 2sk872.pdf pdf_icon

2SK872

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK872

 9.2. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK872

 9.3. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK872

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit mm High breakdown voltage VGDS = -50 V High input impedance IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k , f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK903MR, 2SK930, 2SK943, 2SK944, 2SK945, 2SK949M, 2SK874, 2SK903-M, AO4407, 2SK873, 2SK152, 2SK1521-E1-E, 2SK1522-E1-E, 2SK1523, 2SK1524, 2SK1525, 2SK1527-E1-E