2SK873 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK873  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO3P

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de 2SK873 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SK873 datasheet

 ..1. Size:1661K  nec
 2sk873.pdf pdf_icon

2SK873

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK873

 9.2. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK873

 9.3. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK873

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit mm High breakdown voltage VGDS = -50 V High input impedance IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k , f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SK930, 2SK943, 2SK944, 2SK945, 2SK949M, 2SK874, 2SK903-M, 2SK872, CS150N04A8, 2SK152, 2SK1521-E1-E, 2SK1522-E1-E, 2SK1523, 2SK1524, 2SK1525, 2SK1527-E1-E, 2SK1534