2SK873 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK873

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 450 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 500 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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2SK873 Datasheet (PDF)

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5.5. 2sk870.pdf Size:223K _update-mosfet

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK870 DESCRIPTION ·Drain Current –I =20A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V =500V(Min) DSS ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay

5.6. 2sk879.pdf Size:576K _toshiba

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm • High breakdown voltage: VGDS = -50 V • High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) • Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k?, f = 120 Hz) • Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

5.7. 2sk870.pdf Size:217K _inchange_semiconductor

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Liste

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