2SK873 Todos los transistores

 

2SK873 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK873
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SK873 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SK873 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1661K  nec
 2sk873.pdf pdf_icon

2SK873

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK873

 9.2. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK873

 9.3. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK873

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k, f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SK930 , 2SK943 , 2SK944 , 2SK945 , 2SK949M , 2SK874 , 2SK903-M , 2SK872 , 18N50 , 2SK152 , 2SK1521-E1-E , 2SK1522-E1-E , 2SK1523 , 2SK1524 , 2SK1525 , 2SK1527-E1-E , 2SK1534 .

 

 
Back to Top

 


 
.