2SK873 Todos los transistores

 

2SK873 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK873

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 450 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 500 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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2SK873 Datasheet (PDF)

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2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm • High breakdown voltage: VGDS = -50 V • High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) • Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k?, f = 120 Hz) • Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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