Справочник MOSFET. 2SK873

 

2SK873 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK873
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SK873

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK873 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1661K  nec
 2sk873.pdf pdf_icon

2SK873

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK873

 9.2. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK873

 9.3. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK873

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k, f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK930 , 2SK943 , 2SK944 , 2SK945 , 2SK949M , 2SK874 , 2SK903-M , 2SK872 , 18N50 , 2SK152 , 2SK1521-E1-E , 2SK1522-E1-E , 2SK1523 , 2SK1524 , 2SK1525 , 2SK1527-E1-E , 2SK1534 .

History: VBM17R10 | CS7N70F | STN442D | NCE60H15AD | IXTQ26N50P | IPU95R450P7

 

 
Back to Top

 


 
.