2SK858 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK858
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 2SK858 MOSFET
2SK858 Datasheet (PDF)
2sk858.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK858 DESCRIPTION Drain Current ID=2A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VA
Otros transistores... 2SK819 , 2SK831 , 2SK833 , 2SK849 , 2SK851 , 2SK854 , 2SK855 , 2SK856 , AON7410 , 2SK859 , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 2SK869 , 2SK870 , 2SK871 .
History: AOD4124 | STD30NF03L-1 | STS8215 | PS03N20SA | BL20N60-P | AM1430N
History: AOD4124 | STD30NF03L-1 | STS8215 | PS03N20SA | BL20N60-P | AM1430N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115