2SK858 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK858
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 2SK858 MOSFET
2SK858 Datasheet (PDF)
2sk858.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK858 DESCRIPTION Drain Current ID=2A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VA
Otros transistores... 2SK819 , 2SK831 , 2SK833 , 2SK849 , 2SK851 , 2SK854 , 2SK855 , 2SK856 , SPP20N60C3 , 2SK859 , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 2SK869 , 2SK870 , 2SK871 .
History: AP6N8R2ALH | IPB80N03S4L-02
History: AP6N8R2ALH | IPB80N03S4L-02
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115

