2SK858 Todos los transistores

 

2SK858 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK858
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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2SK858 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  inchange semiconductor
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2SK858

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK858 DESCRIPTION Drain Current ID=2A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VA

 9.1. Size:62K  toshiba
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 9.2. Size:57K  toshiba
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 9.3. Size:121K  nec
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History: FDMS8692 | BRCS050N04RA

 

 
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