2SK859 Todos los transistores

 

2SK859 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK859
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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2SK859 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  inchange semiconductor
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2SK859

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK859 DESCRIPTION Drain Current ID=9A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VA

 9.1. Size:62K  toshiba
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 9.2. Size:57K  toshiba
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 9.3. Size:121K  nec
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2SK859

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History: CS630A4H | H5N3007FL-M0 | AFC4604W | BLP055N09G-P | SUP18N15-95 | IXTQ110N055P | NCE65N330I

 

 
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