2SK859 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK859
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de 2SK859 MOSFET
2SK859 Datasheet (PDF)
2sk859.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK859 DESCRIPTION Drain Current ID=9A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VA
Otros transistores... 2SK831 , 2SK833 , 2SK849 , 2SK851 , 2SK854 , 2SK855 , 2SK856 , 2SK858 , IRF9540N , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 2SK869 , 2SK870 , 2SK871 , 2SK3987-01L .
History: IRF9540N | SSF2314 | 2SK0123 | 3N204 | IRLR2905 | IXFT12N100Q | STH10NA50
History: IRF9540N | SSF2314 | 2SK0123 | 3N204 | IRLR2905 | IXFT12N100Q | STH10NA50



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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