Справочник MOSFET. 2SK859

 

2SK859 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK859
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для 2SK859

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK859 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  inchange semiconductor
 2sk859.pdf pdf_icon

2SK859

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK859 DESCRIPTION Drain Current ID=9A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VA

 9.1. Size:62K  toshiba
 2sk856.pdf pdf_icon

2SK859

 9.2. Size:57K  toshiba
 2sk850.pdf pdf_icon

2SK859

 9.3. Size:121K  nec
 2sk855.pdf pdf_icon

2SK859

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK831 , 2SK833 , 2SK849 , 2SK851 , 2SK854 , 2SK855 , 2SK856 , 2SK858 , IRF9540N , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 2SK869 , 2SK870 , 2SK871 , 2SK3987-01L .

 

 
Back to Top

 


 
.