2SK859 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SK859 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для 2SK859
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK859 даташит
2sk859.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK859 DESCRIPTION Drain Current ID=9A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS=500V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL VA
Другие IGBT... 2SK831, 2SK833, 2SK849, 2SK851, 2SK854, 2SK855, 2SK856, 2SK858, SKD502T, 2SK867, 2SK867A, 2SK868, 2SK868A, 2SK869, 2SK870, 2SK871, 2SK3987-01L
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023 | MS60P03 | MS40P05AU | MS40P05 | MS40N05 | MS34P07 | MS34P01 | MS23P03 | MS23N06A | BPMS04N003M | BPM0405CG | BPM0306CG | BP0405SCG
Popular searches
2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor




