Справочник MOSFET. 2SK859

 

2SK859 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK859
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для 2SK859

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK859 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  inchange semiconductor
2sk859.pdfpdf_icon

2SK859

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK859 DESCRIPTION Drain Current ID=9A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VA

 9.1. Size:62K  toshiba
2sk856.pdfpdf_icon

2SK859

 9.2. Size:57K  toshiba
2sk850.pdfpdf_icon

2SK859

 9.3. Size:121K  nec
2sk855.pdfpdf_icon

2SK859

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK765A | 2P7145B-IM

 

 
Back to Top

 


 
.