2SK867 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK867
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK867 MOSFET
2SK867 Datasheet (PDF)
2sk867.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK867DESCRIPTIONDrain Current I =15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and relay
2sk867a.pdf

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History: P3506ET | SQM120N04-03L | SFF1310Z | 60N06L-TA3-T | LNC4N80 | AP8N8R0P | PTP02N04NB
History: P3506ET | SQM120N04-03L | SFF1310Z | 60N06L-TA3-T | LNC4N80 | AP8N8R0P | PTP02N04NB



Liste
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