2SK867 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK867  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SK867

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK867 даташит

 ..1. Size:41K  panasonic
 2sk867 2sk867a.pdf pdf_icon

2SK867

 ..2. Size:203K  inchange semiconductor
 2sk867.pdf pdf_icon

2SK867

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK867 DESCRIPTION Drain Current I =15A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay

 0.1. Size:203K  inchange semiconductor
 2sk867a.pdf pdf_icon

2SK867

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK867A DESCRIPTION Drain Current I =15A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =450V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and rela

 9.1. Size:153K  panasonic
 2sk868 2sk868a.pdf pdf_icon

2SK867

"2SK868" "2SK868"

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK833, 2SK849, 2SK851, 2SK854, 2SK855, 2SK856, 2SK858, 2SK859, K4145, 2SK867A, 2SK868, 2SK868A, 2SK869, 2SK870, 2SK871, 2SK3987-01L, 2SK3987-01S