2SK867 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK867
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
ton ⓘ - Время включения: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для 2SK867
2SK867 Datasheet (PDF)
2sk867.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK867DESCRIPTIONDrain Current I =15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and relay
2sk867a.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK867ADESCRIPTIONDrain Current I =15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and rela
Другие MOSFET... 2SK833 , 2SK849 , 2SK851 , 2SK854 , 2SK855 , 2SK856 , 2SK858 , 2SK859 , IRFB3607 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 2SK869 , 2SK870 , 2SK871 , 2SK3987-01L , 2SK3987-01S .
History: 2SK849
History: 2SK849



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679