2SK868 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK868
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK868 MOSFET
2SK868 Datasheet (PDF)
2sk868.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK868DESCRIPTIONDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and relay
2sk868a.pdf

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History: FMI13N60E | 2N5640 | DM10N65C-2
History: FMI13N60E | 2N5640 | DM10N65C-2



Liste
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