2SK868 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK868

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 150* nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 430 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.35 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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2SK868 Datasheet (PDF)

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK869 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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