2SK868 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK868
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tonⓘ - Время включения: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO3P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2SK868 Datasheet (PDF)
2sk868.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK868DESCRIPTIONDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and relay
2sk868a.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK868ADESCRIPTIONDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and rela
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: STH310N10F7-2 | BSC120N03LSG
History: STH310N10F7-2 | BSC120N03LSG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324