2SK869 Todos los transistores

 

2SK869 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK869
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 110 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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2SK869 Datasheet (PDF)

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2SK869

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK869 DESCRIPTION Drain Current ID=15A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 9.1. Size:41K  panasonic
 2sk867 2sk867a.pdf pdf_icon

2SK869

 9.2. Size:153K  panasonic
 2sk868 2sk868a.pdf pdf_icon

2SK869

"2SK868""2SK868"

 9.3. Size:203K  inchange semiconductor
 2sk868.pdf pdf_icon

2SK869

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK868DESCRIPTIONDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and relay

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