2SK869 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK869  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 110 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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2SK869 datasheet

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2SK869

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK869 DESCRIPTION Drain Current ID=15A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS=500V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 9.1. Size:41K  panasonic
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2SK869

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2SK869

"2SK868" "2SK868"

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2SK869

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK868 DESCRIPTION Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay

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