2SK869 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK869
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
ton ⓘ - Время включения: 110 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для 2SK869
2SK869 Datasheet (PDF)
2sk869.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK869 DESCRIPTION Drain Current ID=15A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RAT
2sk868.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK868DESCRIPTIONDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and relay
Другие MOSFET... 2SK855 , 2SK856 , 2SK858 , 2SK859 , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 5N65 , 2SK870 , 2SK871 , 2SK3987-01L , 2SK3987-01S , 2SK3987-01SJ , 2SK3988-01 , 2SK3989-01MR , 2SK3990-01L .
History: 2SK2809-01MR | DSKTJ08 | DSKTJ04 | DSKTJ07
History: 2SK2809-01MR | DSKTJ08 | DSKTJ04 | DSKTJ07
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281



