2SK869 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK869

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 110 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для 2SK869

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK869 даташит

 ..1. Size:62K  inchange semiconductor
 2sk869.pdf pdf_icon

2SK869

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK869 DESCRIPTION Drain Current ID=15A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS=500V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 9.1. Size:41K  panasonic
 2sk867 2sk867a.pdf pdf_icon

2SK869

 9.2. Size:153K  panasonic
 2sk868 2sk868a.pdf pdf_icon

2SK869

"2SK868" "2SK868"

 9.3. Size:203K  inchange semiconductor
 2sk868.pdf pdf_icon

2SK869

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK868 DESCRIPTION Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK855, 2SK856, 2SK858, 2SK859, 2SK867, 2SK867A, 2SK868, 2SK868A, 5N65, 2SK870, 2SK871, 2SK3987-01L, 2SK3987-01S, 2SK3987-01SJ, 2SK3988-01, 2SK3989-01MR, 2SK3990-01L