2SK871 Todos los transistores

 

2SK871 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK871
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SK871 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SK871 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1651K  nec
 2sk871.pdf pdf_icon

2SK871

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK871

 9.2. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK871

 9.3. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK871

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k, f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SK858 , 2SK859 , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 2SK869 , 2SK870 , AON7506 , 2SK3987-01L , 2SK3987-01S , 2SK3987-01SJ , 2SK3988-01 , 2SK3989-01MR , 2SK3990-01L , 2SK3990-01S , 2SK3990-01SJ .

History: FMI13N60E | 2N5640 | DM10N65C-2

 

 
Back to Top

 


 
.