Справочник MOSFET. 2SK871

 

2SK871 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK871
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK871 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1651K  nec
 2sk871.pdf pdf_icon

2SK871

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK871

 9.2. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK871

 9.3. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK871

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k, f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STH310N10F7-2 | BSC120N03LSG

 

 
Back to Top

 


 
.