2SK871 - описание и поиск аналогов

 

2SK871. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK871

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK871

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK871 даташит

 ..1. Size:1651K  nec
 2sk871.pdf pdf_icon

2SK871

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK871

 9.2. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK871

 9.3. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK871

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit mm High breakdown voltage VGDS = -50 V High input impedance IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k , f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK858 , 2SK859 , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 2SK869 , 2SK870 , IRFB3607 , 2SK3987-01L , 2SK3987-01S , 2SK3987-01SJ , 2SK3988-01 , 2SK3989-01MR , 2SK3990-01L , 2SK3990-01S , 2SK3990-01SJ .

History: 2SK591 | AOC2403

 

 

 

 

↑ Back to Top
.