2SK871 - аналоги и даташиты транзистора

 

2SK871 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SK871
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SK871

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK871 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1651K  nec
 2sk871.pdf pdf_icon

2SK871

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK871

 9.2. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK871

 9.3. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK871

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k, f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK858 , 2SK859 , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 2SK869 , 2SK870 , IRFB3607 , 2SK3987-01L , 2SK3987-01S , 2SK3987-01SJ , 2SK3988-01 , 2SK3989-01MR , 2SK3990-01L , 2SK3990-01S , 2SK3990-01SJ .

History: WMM028N10HGS | WML6N100D1 | WML18N70EM | IRFF9112 | IRFF9131 | AOD380A60 | WMLL099N20HG2

 

 
Back to Top

 


 
.