IRF9Z34N Todos los transistores

 

IRF9Z34N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9Z34N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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IRF9Z34N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  international rectifier
 irf9z34n.pdf pdf_icon

IRF9Z34N

PD - 9.1485BIRF9Z34NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = -55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.10 P-ChannelG Fully Avalanche RatedID = -19ADescription SFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon are

 ..2. Size:240K  international rectifier
 irf9z34npbf.pdf pdf_icon

IRF9Z34N

IRF9Z34NPbF l Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating Temperature l Fast Switchingl P-Channel l Fully Avalanche Rated Gl Lead-Free Description S

 ..3. Size:242K  inchange semiconductor
 irf9z34n.pdf pdf_icon

IRF9Z34N

isc P-Channel MOSFET Transistor IRF9Z34N,IIRF9Z34NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.1Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONCombine with the fast switching speed and ruggedized devicedesign,provide the designer with an extremely efficient andrelia

 0.1. Size:241K  international rectifier
 auirf9z34n.pdf pdf_icon

IRF9Z34N

PD - 97627AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF9Z34NFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl P-Channel MOSFETDV(BR)DSS-55Vl Dynamic dV/dT Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) max.0.10l Fast Switching Gl Fully Avalanche RatedIDS -19Al Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified*DDescriptionS

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