IRF9Z34N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF9Z34N 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: TO220AB
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IRF9Z34N datasheet
irf9z34n.pdf
PD - 9.1485B IRF9Z34N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.10 P-Channel G Fully Avalanche Rated ID = -19A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon are
irf9z34npbf.pdf
IRF9Z34NPbF l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating D l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l P-Channel l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free Description S
irf9z34n.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor IRF9Z34N,IIRF9Z34N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.1 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Combine with the fast switching speed and ruggedized device design,provide the designer with an extremely efficient and relia
auirf9z34n.pdf
PD - 97627A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF9Z34N Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l P-Channel MOSFET D V(BR)DSS -55V l Dynamic dV/dT Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 0.10 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID S -19A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified* D Description S
Otros transistores... IRF9Z24N, IRF9Z24NL, IRF9Z24NS, IRF9Z24S, IRF9Z25, IRF9Z30, IRF9Z32, IRF9Z34, CS150N03A8, IRF9Z34NL, IRF9Z34NS, IRF9Z34S, IRF9Z35, IRFB11N50A, IRFB9N30A, IRFB9N60A, IRFB9N65A
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BC3134KT | BC3134K | BC2302W | BC2302T-2.8A | BC2302-2.8A | BC2301W | BC2301T-2.8A | CB3139KTB | CB2301DW | BC8205 | BC3415 | BC3407 | BC3401 | BC3400 | BC2301 | BC1012W
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